| 发明名称 | 高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。 | ||
| 申请公布号 | CN105470103A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201410456627.8 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 南京理工大学 | 发明人 | 常本康;郝广辉;张益军;金睦淳;冯琤;陈鑫龙;杨明珠 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 朱显国 |
| 主权项 | 一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法，其特征在于：所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。 | ||
| 地址 | 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 | ||