发明名称 大功率红外LED芯片电极结构
摘要 一种大功率红外LED芯片电极结构,其特征在于,架电极位于中部,架电极的端部与圆环电极相交,架电极其中一直线上的两端部分别与正方形电极连接,另一直线上的两端部通过连接片电极分别与圆弧电极中部相连,圆环电极与圆弧电极同心,正方形电极的外侧与矩形电极的中部连接。本实用新型的大功率红外LED芯片电极结构,设计了一种具有特定形状的电极结构,当采用此一电极结构制作LED芯片后,一方面可以满足大功率红外LED芯片在电流均匀扩展方面的要求,又同时尽量减少电极结构对于LED芯片发光的影响,符合使大功率红外LED芯片整体均匀、高效发光的要求。
申请公布号 CN205141004U 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201520986197.0 申请日期 2015.12.03
申请人 江西联创光电科技股份有限公司 发明人 叶建青;朱源发;万金平;何民华;蒋振华;刘慧军
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 黄新平
主权项 一种大功率红外LED芯片电极结构,其特征在于:十字架电极(3)位于中部,十字架电极(3)的端部与圆环电极(6)相交,十字架电极(3)其中一直线上的两端部分别与正方形电极(2)连接,另一直线上的两端部通过连接片电极(4)分别与圆弧电极(5)中部相连,圆环电极(6)与圆弧电极(5)同心,正方形电极(2)的外侧与矩形电极(1)的中部连接。
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