发明名称 |
大功率红外LED芯片电极结构 |
摘要 |
一种大功率红外LED芯片电极结构,其特征在于,架电极位于中部,架电极的端部与圆环电极相交,架电极其中一直线上的两端部分别与正方形电极连接,另一直线上的两端部通过连接片电极分别与圆弧电极中部相连,圆环电极与圆弧电极同心,正方形电极的外侧与矩形电极的中部连接。本实用新型的大功率红外LED芯片电极结构,设计了一种具有特定形状的电极结构,当采用此一电极结构制作LED芯片后,一方面可以满足大功率红外LED芯片在电流均匀扩展方面的要求,又同时尽量减少电极结构对于LED芯片发光的影响,符合使大功率红外LED芯片整体均匀、高效发光的要求。 |
申请公布号 |
CN205141004U |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201520986197.0 |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
江西联创光电科技股份有限公司 |
发明人 |
叶建青;朱源发;万金平;何民华;蒋振华;刘慧军 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
黄新平 |
主权项 |
一种大功率红外LED芯片电极结构,其特征在于:十字架电极(3)位于中部,十字架电极(3)的端部与圆环电极(6)相交,十字架电极(3)其中一直线上的两端部分别与正方形电极(2)连接,另一直线上的两端部通过连接片电极(4)分别与圆弧电极(5)中部相连,圆环电极(6)与圆弧电极(5)同心,正方形电极(2)的外侧与矩形电极(1)的中部连接。 |
地址 |
330029 江西省南昌市青山湖区高新区京东大道168号 |