| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、覆盖层、牺牲层和牺牲栅电极层；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的两侧形成一侧壁，并在所述半导体衬底上形成一层间介电层；去除所述牺牲栅电极层；去除所述牺牲层；在所述半导体衬底上依次形成一功函数金属层和一金属层，并研磨所述功函数金属层和所述金属层以露出所述层间介电层。根据本发明，在形成高k-金属栅的工艺过程中，可以避免所述虚拟栅极结构中的所述多晶硅层与所述氮化钛覆盖层之间的化学反应。 | ||
| 申请公布号 | CN103151250B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201110400599.4 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;李凤莲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、覆盖层、牺牲层和牺牲栅电极层，所述覆盖层的材料为氮化钛，所述牺牲栅电极层的材料为多晶硅，所述牺牲层阻止所述多晶硅与所述氮化钛之间的化学反应；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的两侧形成一侧壁，并在所述半导体衬底上形成一层间介电层；去除所述牺牲栅电极层；完全去除所述牺牲层；在所述半导体衬底上依次形成一功函数金属层和一金属层，并研磨所述功函数金属层和所述金属层以露出所述层间介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||