发明名称 |
CMOS器件及其制造方法 |
摘要 |
一种CMOS器件,包括多个NMOS和多个PMOS,每个NMOS和每个PMOS均包括在衬底上由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区,其中,每个NMOS和每个PMOS的栅极金属层均包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、和填充层,其特征在于:PMOS栅极金属层中的第一阻挡层厚度大于NMOS栅极金属层中的第一阻挡层的厚度。通过利用第一阻挡层或者PMOS功函数金属层自身作为刻蚀停止层,消除了额外的刻蚀停止层,简化了金属栅堆叠结构,提高了CMOS器件金属栅的填充率,并且可以通过控制第一阻挡层的厚度而调整不同器件的功函数,利于实现多阈值器件。 |
申请公布号 |
CN105470256A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201410450098.0 |
申请日期 |
2014.09.05 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
殷华湘;杨红;张严波 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种CMOS器件,包括多个NMOS和多个PMOS,每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区,其中,每个NMOS以及每个PMOS的栅极金属层均包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层,其特征在于:PMOS的栅极金属层中的第一阻挡层厚度大于NMOS的栅极金属层中的第一阻挡层的厚度。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |