发明名称 Apparatus of growth of silicon single crystal ingot
摘要 실리콘 단결정의 품질을 유지하면서 테일링 공정을 생략하여 생산성을 높이고, 장치의 수명을 늘리며, 유전위화를 방지할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치 및 그 제조방법을 제시한다. 그 장치 및 방법은 결정 직경을 가진 단결정 잉곳을 융액으로부터 분리하는 장치에 있어서, 잉곳의 성장속도에 따른 포인트 경사에 의해 온도조절을 하는 포인트 경사법이 채용된 온도조절부를 포함하고, 잉곳의 마무리 부분의 성장속도를 0mm/분보다 크고 0.1mm/분 이하, 포인트 경사를 100 내지 500로 조정하여 10~180분 동안 마무리 부분을 성장한 후 잉곳을 20mm/분 내지 500mm/분로 분리한다.
申请公布号 KR101609465(B1) 申请公布日期 2016.04.05
申请号 KR20140109484 申请日期 2014.08.22
申请人 에스케이씨솔믹스 주식회사 发明人 신종진;장재혁;한창운;최철용
分类号 C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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