| 摘要 |
본 개시 내용은 반도체 장치에 패턴들을 형성하는 방법을 제공한다. 어떤 실시예들에 따르면, 이 방법은 기판과 기판 위에 패터닝 타겟 층을 제공하는 단계; 패터닝 타겟 층 위에 하나 이상의 맨드렐 패턴들을 형성하는 단계; 제1 맨드렐 패턴을 제거하고 제1 맨드렐 패턴을 덮고 있는 레지스트 층의 일부분을 제거함으로써 레지스트 층에 개구부를 형성하는 단계; 제2 맨드렐 패턴의 측벽들에 인접하여 스페이서들을 형성하는 단계; 상기 스페이서들을 노출시키기 위해 상기 제2 맨드렐 패턴을 제거하는 단계; 스페이서들 위에 개구부와 정렬시켜 패치 패턴을 형성하는 단계; 최종 패턴들을 형성하기 위해 패치 패턴 및 스페이서들을 마스크 요소들로서 사용하여 패터닝 타겟 층을 에칭하는 단계; 및 최종 패턴들을 노출시키기 위해 패치 패턴 및 스페이서들을 제거하는 단계를 포함한다. |
