SELECT DEVICE FOR CROSS POINT MEMORY STRUCTURES

摘要

본 발명은 제1 전도체와 제2 전도체 사이에 위치된 저항성 메모리 요소를 포함하며, 제1 전도체와 제2 전도체가 저항성 메모리 요소를 활성화시키도록 구성된 메모리셀을 제공한다. 메모리셀은 또한 메모리 요소와 제1 전도체 또는 제2 전도체 중의 어느 하나와의 사이에 메모리 요소와 직렬로 위치된 백워드 다이오드를 포함한다.