发明名称 |
显示装置及包含该装置之电子装置 |
摘要 |
明之一实施例提供高可靠显示装置,其中在氧化物半导体中完成高迁移率。第一氧化物成份被形成在基础成份之上。藉由第一热处理,由表面向该第一氧化物成份的内侧进行结晶成长,使得第一氧化物结晶成份被形成以接触该基础成份的至少一部份。第二氧化物成份系被形成在该第一氧化物结晶成份之上。结晶成长系藉由使用该第一氧化物结晶成份作为晶种的第二热处理加以执行,使得第二氧化物结晶成份被形成。因此,形成一堆叠氧化物材料。具有高迁移率的电晶体系使用该堆叠氧化物材料形成及驱动电路系使用该电晶体形成。
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申请公布号 |
TW201612989 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW104144469 |
申请日期 |
2010.11.30 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
小山润;山崎舜平 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/20(2006.01);G09F9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:包含顶面的基板;该基板上且包含顶面和侧面的闸极电极层,该侧面具有相对于该基板的该顶面的倾斜;隔着该闸极电极层在该基板上的氧化物半导体层,且该氧化物半导体层包含面向该闸极电极层的该顶面的第一部分,以及相应于该闸极电极层的该侧面的该倾斜而倾斜的第二部分;该闸极电极层和该氧化物半导体层之间的闸极绝缘层;以及该氧化物半导体层上且与该氧化物半导体层电性接触的源极电极层和汲极电极层,其中该氧化物半导体层具有结晶性,且其中该氧化物半导体层的结晶之c-轴系实质上垂直于在该第一部分及该第二部分两者中的该氧化物半导体层的表面。
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地址 |
日本 |