发明名称 |
高功率发光二极体陶瓷封装之制造方法 |
摘要 |
高功率发光二极体陶瓷封装结构,其包含一发光二极体晶粒、一陶瓷基板、至少两个导柱及一导电膜层。该陶瓷基板包含一第一表面及一相对于该第一表面之第二表面,该第一表面凹设有一反射杯,且该反射杯之底部有至少两个通孔。该导电膜层包含一第一电极及一第二电极。该至少两个导柱分别设于该至少两个通孔中,且分别和该第一电极及一第二电极相连接。该发光二极体晶粒系固定于一该导柱或该至少两个导柱之表面,且和该至少两个导柱电性相连。
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申请公布号 |
TWI528508 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW097139144 |
申请日期 |
2008.10.13 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
林昇柏;陈滨全 |
分类号 |
H01L23/15(2006.01);H01L33/00(2010.01) |
主分类号 |
H01L23/15(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高功率发光二极体陶瓷封装之制造方法,其包含步骤如下:压合一导电膜层于一陶瓷基板之表面,其中于该陶瓷基板相对该导电膜层之另一表面包括至少一凹入之反射杯;图案化该导电膜层为至少一第一电极及至少一第二电极;于该反射杯之底部形成至少两个通孔;分别形成至少两个导柱于该至少两个通孔内,其中该至少两个导柱分别和该第一电极及一第二电极相连接;固定一发光二极体晶粒于一该导柱或该至少两个导柱之表面;以及以及电性连接该发光二极体晶粒和该至少两个导柱。
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地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |