碳化矽半导体装置，碳化矽半导体装置的制造方法以及碳化矽半导体装置的设计方法

摘要

矽半导体装置包括:第一导电型碳化矽层32,第二导电型碳化矽层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水准方向上，包含栅极沟槽20，以及以开口的状态将栅极沟槽20的至少一部分在水准方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元（cell）区域，在水准方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。被包含在单元区域中的保护沟槽10具有在水准方向上直线延伸的多个单元区域直线沟槽11。而且，单元区域直线沟槽11间的水准方向距离D1
比被包含在栅极区域中的保护沟槽10间的最大水准方向距离D3
更长。

主权项

一种碳化矽半导体装置，其特征在于，包括： 第一导电型碳化矽层， 　被形成在所述第一导电型碳化矽层上的第二导电型碳化矽层， 　被形成在从所述第二导电型碳化矽层的表面直到到达所述第一导电型碳化矽层的深度处的栅极沟槽， 　在所述栅极沟槽内被设置为经由绝缘膜的栅极电极， 　被形成在从所述第二导电型碳化矽层的表面直到比所述栅极沟槽更深的深度处的保护沟槽，以及 　被设置在所述保护沟槽内的导电构件， 　其中，在水准方向上，包含所述栅极沟槽，以及在水准方向上以开口的状态将所述栅极沟槽的至少一部分包围的所述保护沟槽这两者的区域成为单元区域， 　在水准方向上，包含所述保护沟槽，且设置有栅极衬垫或者与该栅极衬垫相连接的布置电极的区域成为栅极区域， 　被包含在所述单元区域中的所述保护沟槽具有多个在水准方向上直线延伸的单元区域直线沟槽， 　所述单元区域直线沟槽之间的水准方向距离比被包含在所述栅极区域中的所述保护沟槽之间的最大水准方向距离更长。