垂直穿隧负微分电阻装置

摘要

示系有关于微电子装置的制造，这些微电子装置具有形成于其中的至少一个负微分电阻装置。在至少一个实施例中，这些负微分电阻装置系可利用量子井来予以形成。本说明的负微分电阻装置之实施例可达成能够高性能的高峰值驱动电流，以及能够低的功耗及杂讯容限之高峰谷电流比，这允许其使能够被使用于逻辑及/或记忆体积体电路中。

主权项

一种微电子装置，包含：上量子井；下量子井，藉由阻障层而与该上量子井分离；闸极电极，靠近该上量子井；上量子井接点，耦接至该上量子井；以及下量子井接点，耦接至该下量子井，其中该下量子井接点延伸穿过该上量子井且藉由介电材料与其电气隔离。