包含具有反熔丝组件之非挥发性记忆体结构之电子器件及其形成方法

摘要

电子器件可包含一非挥发性记忆体单元，其中该非挥发性记忆体单元可包含一基板、一存取电晶体、一读取电晶体及一反熔丝组件。该等存取及读取电晶体之各者可包含至少部分在该基板内之源极/汲极区、上覆该基板之一闸极介电层，以及上覆该闸极介电层之一闸极电极。一反熔丝组件可包含至少部分铺置在该基板内之一第一电极、上覆该基板之一反熔丝介电层，以及上覆该反熔丝介电层之一第二电极。该反熔丝组件之第二电极可耦合至该存取电晶体之源极/汲极区之一者，且耦合至该读取电晶体之闸极电极。在一实施例中，反熔丝组件可为一电晶体结构之形式。可使用单多晶矽工艺形成该电子器件。

主权项

一种包含一非挥发性记忆体单元之电子器件，其中该非挥发性记忆体单元包括：一基板；一存取电晶体，其具有至少部分在该基板内之源极/汲极区、上覆该基板之一闸极介电层，以及上覆该闸极介电层之一闸极电极；一读取电晶体，其具有至少部分在该基板内之源极/汲极区、上覆该基板之一闸极介电层，以及上覆该闸极介电层之一闸极电极；及一反熔丝组件，其包含至少部分铺置于该基板内之一第一电极、上覆该基板之一反熔丝介电层，及上覆该反熔丝介电层之一第二电极，其中该反熔丝组件之该第二电极系耦合至该存取电晶体之该源极/汲极区之一者且耦合至该读取电晶体之该闸极电极。