| 发明名称 |
烧冶用框架 |
| 摘要 |
烧冶用框架，系利用安装器保持手段在垂直方向多段地保持复数片平板状安装器，并用以多段地烧冶电子陶瓷元件。安装器保持手段由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再结晶SiC及Si3N4-SiC的任一种材质所构成，该安装器保持手段系在使各平板状安装器露出其外周侧面之70~100%之状态下保持。因此，成为在能量效率或量产效率上优异，而且在多段烧冶之各段的均热性优异的烧冶用框架。
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| 申请公布号 |
TWI528013 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW100126136 |
申请日期 |
2011.07.25 |
| 申请人 |
日本碍子股份有限公司;ＮＧＫ阿德列克股份有限公司 |
发明人 |
古宫山常夫;堀田启之;松本信宏 |
| 分类号 |
F27D5/00(2006.01);C04B33/22(2006.01);C04B41/87(2006.01);C04B37/00(2006.01);H01G13/00(2013.01) |
主分类号 |
F27D5/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
一种烧冶用框架，利用安装器保持手段在垂直方向多段地保持复数片平板状安装器，其特征在于：该安装器保持手段系由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再结晶SiC及Si3N4-SiC的任一种材质所构成，该安装器保持手段系由突设在孔的周边部的复数个段堆叠用突起以及比该些段堆叠用突起位置更低的定位用突起之框状的平板构件所构成，在保持平板状安装器的状态下多段地叠层，在使各平板状安装器露出其外周侧面之70~100%之状态下保持。
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| 地址 |
日本;日本 |
