发明名称 |
电子装置之改良散热结构 |
摘要 |
电子装置之改良散热结构,系黏附于电子装置上进行散热;该散热结构包含有至少一个散热结构单元,各该散热结构单元包含有高导热物质单元,以及在高导热物质单元与外界间提供绝缘与导热功能之导热绝缘介质;该导热绝缘介质由陶瓷与高分子结合而成。本创作之导热绝缘介质附加第三维度散热的导热效果,取代现行大量使用于电子元件中,提供绝缘用途的PET(MYLAR)薄带;更甚者,此一绝缘物质之改良,还可在复数个高导热物质单元之间扮演单元间传导热能的角色,使高导热物质能以复数层的型态叠合,以倍数型态大幅提升散热面积,达成高效率散热的效果。
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申请公布号 |
TWM519879 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW104212452 |
申请日期 |
2015.08.03 |
申请人 |
道登电子材料股份有限公司;许神安 |
发明人 |
许神安 |
分类号 |
H05K7/20(2006.01);B32B33/00(2006.01);H05K3/46(2006.01) |
主分类号 |
H05K7/20(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种电子装置之改良散热结构,系黏附于电子装置上进行散热;该散热结构包含有至少一个散热结构单元,各该散热结构单元包含有高导热物质单元,以及在高导热物质单元与外界间提供绝缘与导热功能之导热绝缘介质;该导热绝缘介质由陶瓷与高分子结合而成。
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地址 |
高雄市楠梓加工出口区新开发路12号4楼;高雄市楠梓加工出口区新开发路12号4楼 |