形成沈积在半导体晶粒上用于应力缓和之绝缘层的半导体装置及方法

摘要

体装置具有半导体晶粒和形成于半导体晶粒表面上的导电层。第一通道可以形成于半导体晶粒中。包封物沉积于半导体晶粒上。第二通道可以形成于包封物中。第一绝缘层形成于半导体晶粒和第一导电层上以及形成于第一通道里。第一绝缘层延伸进入第二通道。第一绝缘层具有的特征为拉伸强度大于150百万帕、伸长率在35~150%之间、厚度为2~30微米。在形成第一绝缘层之前，第二绝缘层可以形成于半导体晶粒上。互连结构形成于半导体晶粒和包封物上。互连结构电连接到第一导电层。第一绝缘层于形成互连结构的期间提供应力缓和。

主权项

一种制作半导体装置的方法，其包括：提供半导体晶粒；形成第一导电层于该半导体晶粒的表面上；沉积包封物于该半导体晶粒上；形成第一绝缘层于该半导体晶粒和该第一导电层上；以及形成互连结构于该半导体晶粒和该包封物上，其中该互连结构电连接到该第一导电层，并且该第一绝缘层于形成该互连结构的期间提供应力缓和。