Ⅲ族氮化物磊晶基板及其制造方法

摘要

明提供一种可抑制在部件化步骤产生裂碎之Ⅲ族氮化物磊晶基板及其制造方法。

主权项

一种Ⅲ族氮化物磊晶基板，系具有：Si基板；初始层，系与该Si基板相邻；及超晶格积层体，系形成于该初始层上且具有复数组积层体，该积层体依续具有由A1组成比超过0.5且1以下的AlGaN构成之第1层、及由A1组成比超过0且0.5以下的AlGaN构成之第2层；并且，该第2层的A1组成比随着远离该Si基板而渐减。