摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur temperaturabhängigen Auswahl (AW) von Abschaltgeschwindigkeiten (ASG) für Abschaltvorgänge (AV) in Leistungshalbleitern (5), welche an einem Gleichspannungszwischenkreis (2) eines Umrichters (6) angeordnet sind, wobei eine Gleichspannung (VDC) des Gleichspannungszwischenkreises (2) erfasst und mit einer Referenzgleichspannung (VDC_ref.) verglichen wird, eine Temperatur (T), insbesondere eine Sperrschichttemperatur, des Leistungshalbleiter (5) erfasst und mit einer Referenztemperatur (Tref.) verglichen wird und, in Abhängigkeit von Kombinationsmöglichkeiten (KBM) der verglichenen Temperaturen (T, Tref.) mit den verglichenen Gleichspannungen (VDC, VDC_ref.), die Auswahl (AW) einer Abschaltgeschwindigkeit (ASG) aus einer Anzahl von Abschaltgeschwindigkeiten (ASG) getroffen sowie eine neu ermittelte Abschaltgeschwindigkeit (ASGnew) bereitgestellt wird. Weiterhin ist eine Recheneinheit (7) zur Durchführung des Verfahrens vorgesehen sowie eine Ansteuervorrichtung (1), welche dafür ausgebildet ist, mit der Recheneinheit (7) das Verfahren auszuführen. Ebenfalls vorgesehen sind der Umrichter (6) mit Gleichspannungszwischenkreis (2), welcher die Leistungshalbleiter (5), die Recheneinheit (7) und die Ansteuervorrichtung (1) aufweist, sowie ein Elektro- oder Hybridfahrzeug (8) mit einer vom Umrichter (6) betreibbaren elektrischen Maschine (17). |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
BESSARAB, YURIY;HOFFMANN, HOLGER;SLAVIK, THOMAS;TILL, STEFAN;VÖLKEL, STEFAN;ZITZMANN, DANIEL |