超音波トランスデューサ電極アセンブリ

摘要

本発明は、超音波トランスデューサの製造方法を提供する。第１側と該第１側とは反対の第２側とを有する基材が提供される。該基材の第１側には下部電極が形成される。下部電極には圧電素子が形成される。該圧電素子は面取側壁を有する。該圧電素子にわたって上部電極が形成される。該圧電素子の面取側壁に最も近い上部電極の一部にわたってステップ金属部材が形成される。