| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, – Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), – Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), – Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung. |
