发明名称 THYRISTOR VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHODS OF MANUFACTURE
摘要 A volatile memory array using vertical thyristors is disclosed together with methods of fabricating the array.
申请公布号 WO2016049601(A1) 申请公布日期 2016.03.31
申请号 WO2015US52499 申请日期 2015.09.25
申请人 KILOPASS TECHNOLOGY, INC. 发明人 LUAN, HARRY;BATEMAN, BRUCE;AXELRAD, VALERY;CHENG, CHARLIE
分类号 G11C11/00;H01L21/76;H01L27/00 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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