发明名称 显示装置
摘要 本发明公开了一种显示装置。保护电路包括非线性元件,该非线性元件包括:栅电极;覆盖栅电极的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层;以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠,并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层,由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此,结漏降低,且可提高非线性元件的特性。
申请公布号 CN103400838B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201310335796.1 申请日期 2009.08.27
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 钱孟清
主权项 一种显示装置,包括:衬底上的布线;所述衬底上的像素,所述像素包括像素晶体管;所述衬底上的保护电路,所述保护电路至少包括第一晶体管和第二晶体管;所述衬底上的端子电极;所述端子电极上的连接端子电极;以及通过所述连接端子电极被电连接到所述端子电极的FPC;其中所述像素晶体管包括:电连接到所述布线的第一栅电极;所述第一栅电极上的栅极绝缘膜;所述栅极绝缘膜上的第一氧化物半导体层;以及电连接到所述第一氧化物半导体层的第一源和漏电极,其中所述第一源和漏电极之一电连接到像素电极,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括:第二栅电极;所述第二栅电极上的所述栅极绝缘膜;所述栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体层;以及电连接到所述第二氧化物半导体层的第二源和漏电极,其中所述第二源和漏电极之一电连接到所述布线,其中所述端子电极利用与所述第一源和漏电极以及所述第二源和漏电极相同的导电膜形成;以及其中所述连接端子电极利用与所述像素电极相同的导电膜形成。
地址 日本神奈川县
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