一种半导体器件及其制作方法和电子装置

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，在半导体衬底上依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、牺牲层和第三硬掩膜层；执行刻蚀工艺以形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充隔离材料层；回刻蚀去除所述牺牲层；去除所述第二硬掩膜层；去除所述第一硬掩膜层；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成浮栅材料层；执行平坦化工艺。根据本发明的制作方法提供了良好的工艺窗口用于浅沟槽隔离结构氧化物层和浮置栅极多晶硅的形成；良好地控制了浮置栅极的轮廓；浮置栅极的物理轮廓有利于提高器件耦合率。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、牺牲层和第三硬掩膜层；依次刻蚀所述第三硬掩膜层、所述牺牲层、所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充隔离材料层，通过平坦化工艺使得所述隔离材料层的表面与所述牺牲层的表面齐平；回刻蚀去除所述牺牲层，以使所述隔离材料层的顶部回刻蚀为椭圆形或者子弹头形；去除所述第二硬掩膜层，以使所述隔离材料层的中部和底部垂直；去除所述第一硬掩膜层以露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成浮栅材料层，所述浮栅材料层覆盖所述隔离材料层和所述隧穿氧化物层；执行平坦化工艺，以形成浮置栅极。