| 发明名称 | 半导体结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。本发明减小金属层以及基底从退火处理腔室内取出时具有的温度差，防止温度突变造成金属层以及基底发生翘曲，提高半导体结构的生产良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105448654A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410443004.7 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈怡骏;游宽结;侯元琨 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中，退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||