| 发明名称 | 碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅半导体衬底，包括：具有外径不小于100mm的主表面且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；以及形成在主表面(1A)上的外延层(2)。碳化硅半导体衬底(10)当衬底温度为室温时具有不小于-100μm且不大于100μm的翘曲量，并且在衬底温度为400℃时具有不小于-1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。 | ||
| 申请公布号 | CN105453220A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201480043442.2 | 申请日期 | 2014.06.13 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 堀井拓;久保田良辅;增田健良 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体衬底，包括：基础衬底，所述基础衬底具有主表面，并且由单晶碳化硅制成，所述主表面具有不小于100mm的外径；以及外延层，所述外延层形成在所述主表面上，当衬底温度为室温时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑100μm且不大于100μm的翘曲量，并且当衬底温度为400℃时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||