| 发明名称 | 相变存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器单元及其形成方法，所述相变存储器单元的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成穿透介质层的通孔；在所述通孔内壁表面形成粘合层；在所述粘合层表面形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层内掺杂有非金属掺杂离子；在所述介质层、粘合层以及金属层表面形成相变层。所述方法能够提高形成的相变存储器单元的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105448947A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410428932.6 | 申请日期 | 2014.08.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李志超;伏广才 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种相变存储器单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成穿透介质层的通孔；在所述通孔内壁表面形成粘合层；在所述粘合层表面形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层内掺杂有非金属掺杂离子；在所述介质层、粘合层以及金属层表面形成相变层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||