半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底中的第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构顶部表面高于半导体衬底的表面；位于所述半导体衬底内的漂移区，所述漂移区包围所述第一浅沟槽隔离结构，且漂移区的深度大于第一浅沟槽隔离结构的深度；位于漂移区一侧的半导体衬底内的第一体区，第一体区与漂移区的掺杂类型相反；位于半导体衬底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨覆盖部分所述体区、半导体衬底、漂移区和第一浅沟槽隔离结构的表面；位于第一栅极结构一侧的漂移区内的第一漏区，位于第一栅极结构另一侧的第一体区内的第一源区。本发明的半导体器件减小了栅漏寄生电容的大小。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区域和逻辑区域；在所述LDMOS区域的半导体衬底中形成第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构顶部表面高于半导体衬底的表面；在LDMOS区域的半导体衬底内形成漂移区，所述漂移区包围所述第一浅沟槽隔离结构，且漂移区的深度大于第一浅沟槽隔离结构的深度；在漂移区一侧的LDMOS区域的半导体衬底内形成第一体区，第一体区与漂移区的掺杂类型相反；在逻辑区域的半导体衬底内形成的第二体区；在LDMOS区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨覆盖部分所述体区、半导体衬底、漂移区和第一浅沟槽隔离结构的表面；在所述第二体区的表面上形成第二栅极结构；在第一栅极结构一侧的漂移区内形成第一漏区，在第一栅极结构另一侧的第一体区内形成第一源区；在第二栅极结构一侧的第二体区内形成第二漏区，在第二栅极结构另一侧的第二体区内形成第二源区。