新结构反向导通绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明涉及一种新结构反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括衬底，衬底内的n型漂移区，衬底正面的栅极和发射极，以及衬底背面的集电极，所述栅极与发射极在衬底表面相间排布，所述栅极的底面设有绝缘层，所述衬底正面设有与所述n型漂移区相连的n型载流子存储层，所述载流子存储层的掺杂浓度大于所述n型漂移区的掺杂浓度，所述载流子存储层内设有p阱区，所述p阱区内设有n型掺杂区，所述发射极位于所述p阱区的正上方，所述n型掺杂区延伸到相邻的所述栅极和所述绝缘层的底部。本发明能够缓解RC-IGBT器件导通时由单极载流子引起的电导调制不充分的问题，从而能够抑制Snapback现象，并且能够降低器件的导通电阻。

主权项

一种新结构反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括衬底，衬底内的n型漂移区，衬底正面的栅极和发射极，以及衬底背面的集电极，所述栅极与发射极在衬底表面相间排布，所述栅极的底面设有绝缘层，其特征在于，所述衬底正面设有与所述n型漂移区相连的n型载流子存储层，所述载流子存储层的掺杂浓度大于所述n型漂移区的掺杂浓度，所述载流子存储层内设有p阱区，所述p阱区内设有n型掺杂区，所述发射极位于所述p阱区的正上方，所述n型掺杂区延伸到相邻的所述栅极和所述绝缘层的底部。