| 发明名称 | 一种基于半导体工艺的巨量太赫兹天线阵 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于半导体工艺的巨量太赫兹天线阵，包含10<sup>4</sup>～10<sup>7</sup>量级个太赫兹天线阵元，所述太赫兹天线阵由多个太赫兹阵元进行排列形成，采用CMOS工艺线通过在硅基晶圆上集成太赫兹相控阵天线阵列实现空间能量合成与波束形成，形成高增益的窄波束天线；单个太赫兹天线阵元的尺寸为1mm量级，1米量级半径的圆盘天线阵列包含3.14×(1000)<sup>2</sup>＝314万量级个单个太赫兹天线阵元，从而为300GHz频率的太赫兹波提供60dB的增益，其波束宽度为0.14°。还可以将多片硅基晶圆拼接形成，最终形成集成有10<sup>7</sup>数量级的单个太赫兹天线阵元。本发明是利用太赫兹具备无线电波的特点，利用标准半导体工艺线设计实现上万乃至数百万、数千万单元的天线阵。 | ||
| 申请公布号 | CN105449377A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510957812.X | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 陈霏;马建国 |
| 分类号 | H01Q21/00(2006.01)I;H01Q1/52(2006.01)I | 主分类号 | H01Q21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 李丽萍 |
| 主权项 | 一种基于半导体工艺的巨量太赫兹天线阵，其特征在于：包含10<sup>4</sup>～10<sup>7</sup>量级个太赫兹天线阵元，所述太赫兹天线阵由多个太赫兹天线阵元进行排列形成，采用CMOS工艺线通过在硅基晶圆上集成太赫兹相控阵天线阵列实现空间能量合成与波束形成，形成高增益的窄波束天线；单个太赫兹天线阵元的尺寸为1mm量级，1米量级半径的圆盘天线阵列包含3.14×(1000)<sup>2</sup>＝314万量级个单个太赫兹天线阵元，从而为300GHz频率的太赫兹波提供60dB的增益，其波束宽度为0.14°。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||