| 发明名称 |
N型半导体层以及N型薄膜晶体管的制备方法 |
| 摘要 |
一种N型半导体层的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体碳纳米管层；通过原子层沉积的方法在所述半导体层表面沉积一氧化铪层，该原子层沉积的方法具体包括：将该半导体碳纳米管层置于一原子层沉积系统反应腔内的工作平台上，将该工作平台加热至140-200摄氏度；向反应腔内持续通入一保护气体；在载气承载下分别以脉冲形式向反应腔内通入铪源与水蒸汽，在该半导体碳纳米管层表面生成连续的氧化铪层，形成一N型半导体层，其中，所述含铪源的载气的一次脉冲时间为0.02s-0.03s，所述含水蒸汽的载气的一次脉冲时间为0.010s-0.015s。 |
| 申请公布号 |
CN105448674A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
| 申请号 |
CN201410257169.5 |
申请日期 |
2014.06.11 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
金元浩;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种N型半导体层的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体碳纳米管层；通过原子层沉积的方法在所述半导体层表面沉积一氧化铪层，该原子层沉积的方法具体包括：将该半导体碳纳米管层置于一原子层沉积系统反应腔内的工作平台上，将该工作平台加热至140‑200摄氏度；向反应腔内持续通入一保护气体；在载气承载下分别以脉冲形式向反应腔内通入铪源与水蒸汽，在该半导体碳纳米管层表面生成连续的氧化铪层，形成一N型半导体层，其中，所述含铪源的载气的一次脉冲时间为0.02s‑0.03s，所述含水蒸汽的载气的一次脉冲时间为0.010s‑0.015s。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
