埋入硅基板扇出型封装方法

摘要

本发明公开了一种埋入硅基板扇出型封装方法，首先，在晶圆级水平将芯片埋入到硅基板圆片上，然后，在扇出工艺过程中，将若干硅基板圆片贴在一块面板上进行面板级封装，最后，在晶圆级水平进行凸点制备或植焊球；本发明先芯片埋入到硅基板圆片上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性和精度，减少了面板的翘曲。在面板级工艺过程中激光直接曝光时，通过每个晶圆分别进行对准调整，提高了整体的对准精度，有利于细节距焊盘芯片的扇出封装加工。从晶圆级封装到面板级封装的过程，结合了晶圆级封装金属布线线宽/线距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量及效率，大大降低了封装成本。

主权项

一种埋入硅基板扇出型封装方法，其特征在于：包括如下步骤：A.提供一上表面制作有若干凹槽(101)的硅基体圆片(1)，所述凹槽内至少黏结一颗芯片(2)，且所述凹槽的深度与所述芯片的厚度相当，所述芯片的焊盘面(201)朝外；B.通过涂布或压膜工艺，形成一层覆盖所述硅基体圆片的上表面及所述芯片的介质层(4)，并在所述介质层上对应所述芯片的焊盘位置处制作介质层开口(401)，露出芯片的焊盘(202)；C.在所述介质层上面制作至少一层连接所述芯片的焊盘的金属重布线(5)，所述金属重布线的部分线路置于所述芯片表面外的硅基体圆片上；D.在最外层的金属重布线上制作一层钝化层(7)，在该金属重布线上需要做凸点或植焊球的位置打开钝化层，形成钝化层开口(701)；E.在钝化层开口内进行凸点制备或植焊球(8)，最后切割，形成单颗埋入硅基板扇出型封装结构；其中，步骤B、C、D中至少一个工艺制程是在面板级封装完成，该面板级封装包括：a、将若干个硅基体圆片的下表面贴到一个设定尺寸的面板上进行整体封装工艺；b、在整体封装工艺完成后，将若干个硅基体圆片的下表面从该面板上剥离下来。