| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆和中间晶圆，所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体，其中，所述中间晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆的边缘；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆背面的边缘区域形成有防裂环；步骤S3：将所述顶部晶圆的正面和所述中间晶圆接合为一体。本发明的优点在于：(1)能够避免晶圆边缘发生碎裂产生的损失，提高了器件的良率。(2)降低了晶圆目检查的失败率(Fail Rate)，提高了生产的产量，增加了产能。 | ||
| 申请公布号 | CN105448650A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410401104.3 | 申请日期 | 2014.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;王伟;刘国安 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆和中间晶圆，所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体，其中，所述中间晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆的边缘；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆背面的边缘区域形成有防裂环；步骤S3：将所述顶部晶圆的正面和所述中间晶圆接合为一体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||