| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底结构之上形成多个光致抗蚀剂图案；在包括光致抗蚀剂图案的结构之上形成用于间隔物的绝缘层；各向异性地刻蚀绝缘层来在光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隔物，并形成贯穿绝缘层的第一开口；以及在绝缘层中形成第二开口，以暴露衬底结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102280406B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201010604276.2 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴正熙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成绝缘层；形成导电构件，所述导电构件贯穿所述绝缘层而延伸，并沿第一方向彼此间隔开；形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案与所述导电构件重叠，并沿与所述第一方向大致垂直的方向延伸；在包括所述光致抗蚀剂图案的结构之上形成绝缘层；各向异性地刻蚀所述绝缘层来在所述光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隔件，并形成贯穿所述绝缘层的第一开口以暴露衬底结构；以及去除所述光致抗蚀剂图案来在所述绝缘层中形成第二开口，以暴露所述衬底结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||