发明名称 外延结构体的制备方法
摘要 本发明涉及一种外延结构体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,所述基底具有一第一外延生长面;在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层;在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层;去除所述基底及所述碳纳米管层,形成一外延衬底,所述外延衬底具有一图案化的表面;以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面,在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层,得到所述外延结构体。
申请公布号 CN103367122B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201210085276.5 申请日期 2012.03.28
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 魏洋;范守善
分类号 H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L21/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种外延结构体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,所述基底具有一第一外延生长面;在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层,所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构,所述碳纳米管层包括多个碳纳米管,所述多个碳纳米管的延伸方向平行于所述第一外延生长面,且相邻的碳纳米管之间存在微孔或间隙从而构成多个开口;在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层,所述第一外延层从所述第一外延生长面通过所述碳纳米管层的开口暴露的部分外延生长;去除所述基底及所述碳纳米管层,形成一外延衬底,所述外延衬底具有一图案化的表面;以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面,在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层,得到所述外延结构体。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室