| 发明名称 | 一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种改善区熔硅单晶硅生长的热场，包括线圈主体和冷却水管，所述冷却水管焊接嵌入所述线圈主体内，所述线圈主体为平板线圈，所述线圈主体的上表面向线圈内部凹陷成关于中心对称的阶梯结构，所述阶梯结构的最外层台阶的外延周向设有一凹槽。根据电流的趋肤效应，以及磁场的尖角效应，本实用新型的凹槽设计使得凹槽处的磁感线密度增加，磁场变强，从而达到有效熔化硅刺的目的，提高硅单晶生长稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN205115663U | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201520813370.7 | 申请日期 | 2015.10.19 |
| 申请人 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 发明人 | 石海涛;刘铮;涂颂昊;王遵义;刘琨;孙昊;由佰玲;张雪囡;王彦君 |
| 分类号 | C30B13/16(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B13/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人 | 李纳 |
| 主权项 | 一种改善区熔硅单晶硅生长的热场，包括线圈主体和冷却水管，所所述冷却水管焊接嵌入所述线圈主体内，其特征在于：所述线圈主体为平板线圈，所述线圈主体的上表面向线圈内部凹陷成关于中心对称的阶梯结构，所述阶梯结构的最外层台阶的外延周向设有一凹槽。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号 | ||