一种大功率金属单列直插封装晶体管阵列板

摘要

本实用新型涉及一种大功率金属单列直插封装晶体管阵列板，晶体管阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层；第一导电层上第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上半导体层；至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层，第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜；覆盖该半导体层的钝化层；以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层，其中，至少该上部膜的一边缘位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三导电层接触下部膜的该第一部分；上部膜的边缘横贯下部膜；钝化层具有至少部分露出下部膜的该第一部分的接触孔；第三导电层的至少一部分位于钝化层上。

主权项

一种大功率金属单列直插封装晶体管阵列板，其特征在于：所述晶体管阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层；第一导电层上的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的半导体层；至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层，该第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜；覆盖该半导体层的钝化层；以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层，其中，至少该上部膜的一边缘位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三导电层接触下部膜的该第一部分；上部膜的边缘横贯下部膜；钝化层具有至少部分露出下部膜的该第一部分的接触孔；第三导电层的至少一部分位于钝化层上；以及上部膜的该至少一边缘不与接触孔的边界重合；钝化层接触接触孔附近的下部膜；下部膜为Cr、Mo或Mo合金；还包括位于半导体层与第二导电层之间的欧姆接触层；欧姆接触层具有与第二导电层基本相同的平面形状；半导体层的边界或者与第二导电层的边界大致重合，或者位于第二导电层之外；第三导电层为ITO或IZO。