发明名称 |
金属氧化物薄膜晶体管 |
摘要 |
本发明揭露一种金属氧化物薄膜晶体管,包含栅极、栅极绝缘层、金属氧化物主动层、源极以及漏极,其中栅极形成于基板上。栅极绝缘层形成于基板上并覆盖栅极。金属氧化物主动层形成于栅极绝缘层上。源极与漏极分别位于该金属氧化物主动层的相对两端,其中源极与漏极中至少一者在基板上的正投影与栅极无重叠。 |
申请公布号 |
CN103035734A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210260850.6 |
申请日期 |
2012.07.25 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 |
发明人 |
叶佳俊;王裕霖;蔡学宏;王旨玄 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,包含:一栅极,形成于一基板上;一栅极绝缘层,形成于该基板上并覆盖该栅极;一金属氧化物主动层,形成于该栅极绝缘层上;以及一源极与一漏极,分别位于该金属氧化物主动层的相对两端,其中该源极与该漏极中至少一者在该基板上的正投影与该栅极无重叠。 |
地址 |
中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 |