| 发明名称 | 高介电常数金属栅极制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高介电常数金属栅极制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次沉积界面层、高介电常数栅介质层、金属功函数层；在所述金属功函数层上沉积隔离层；在所述隔离层上制备过化学计量的TiN<sub>1+x</sub>层；进行快速热退火处理；在TiN<sub>1+x</sub>层上沉积Al电极。该方法在沉积隔离层之后，在隔离层上制备过化学计量的TiN<sub>1+x</sub>层，其中高浓度的固态N在快速热退火的过程中进行扩散，从而改变隔离层晶体晶界，进而破坏了Al电极中的金属Al向金属功函数层和高介电常数栅介质层的扩散路径，防止了Al电极的扩散，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103177945B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201110430924.1 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;倪景华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种高介电常数金属栅极制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次沉积界面层、高介电常数栅介质层、金属功函数层；在所述金属功函数层上沉积隔离层；在所述隔离层上制备过化学计量的TiN<sub>1+x</sub>层；进行快速热退火处理；在TiN<sub>1+x</sub>层上沉积Al电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||