发明名称 包括具有凸状磁各向异性轮廓的垂直磁记录层的装置
摘要 本发明为包括具有凸状磁各向异性轮廓的垂直磁记录层的装置。一种装置可以包括第一磁性层、第一磁性层上形成的第一交换中断层、第一交换中断层上形成的第二磁性层、第二磁性层上形成的第二交换中断层、第二交换中断层上形成的第三磁性层。第一磁性层具有第一磁各向异性能H<sub>k1</sub>,第二磁性层具有第二磁各向异性能H<sub>k2</sub>,第三磁性层具有第三磁各向异性能H<sub>k3</sub>。在某些实施例中,H<sub>k1</sub>-H<sub>k2</sub>小于H<sub>k2</sub>-H<sub>k3</sub>。在某些实施例中,该装置是垂直磁记录介质。
申请公布号 CN102385872B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201110275981.7 申请日期 2011.07.29
申请人 希捷科技有限公司 发明人 T·P·诺兰;H·J·里齐特
分类号 G11B5/667(2006.01)I 主分类号 G11B5/667(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 姬利永
主权项 一种包括具有凸状磁各向异性场梯度的垂直磁记录层的装置,包括:第一磁性层,具有第一磁各向异性场H<sub>k1</sub>;在第一磁性层上形成的第一交换中断层;在第一交换中断层上形成的第二磁性层,其中所述第二磁性层具有第二磁各向异性场H<sub>k2</sub>;在所述第二磁性层上形成的第二交换中断层;以及在所述第二交换中断层上形成的第三磁性层,其中第三磁性层具有第三磁各向异性场H<sub>k3</sub>,其中H<sub>k1</sub>‑H<sub>k2</sub>小于H<sub>k2</sub>‑H<sub>k3</sub>;其中第一到第三磁性层包括相应的磁各向异性场,使得第一到第三磁性层具有凸状磁各向异性场梯度;以及在第三磁性层上形成的连续颗粒状合成层,其中所述连续颗粒状合成层和第三磁性层包括交换耦合合成结构,所述交换耦合合成结构被配置成在所述交换耦合合成结构之下的第一和第二磁性层上施加具有厚度加权平均磁各向异性场H<sub>k34</sub>的交换耦合合成效应,并且其中,所述连续颗粒状合成层包括具有比第三磁性层的Pt含量Pt3更大的Pt含量Pt4的层。
地址 美国加利福尼亚州