| 发明名称 | 改进的双掺杂浮栅晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的双掺杂浮栅晶体管。根据本发明的一种浮栅晶体管，包括：半导体衬底；以及依次形成在所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅层、栅间介质层、控制栅层，其中所述浮栅层包括叠层区域，所述叠层区域包括多个第一掺杂类型的多晶硅子层，所述多个第一掺杂类型的多晶硅子层彼此以层间介质层隔开，所述浮栅层还包括在所述叠层区域两侧的第二掺杂类型的第一反型区域，所述第二掺杂类型和第一掺杂类型不同。 | ||
| 申请公布号 | CN105449002A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410405898.0 | 申请日期 | 2014.08.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吕冬琴;叶好华 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张欣 |
| 主权项 | 一种浮栅晶体管，包括：半导体衬底；以及依次形成在所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅层、栅间介质层、控制栅层，其中所述浮栅层包括叠层区域，所述叠层区域包括多个第一掺杂类型的多晶硅子层，所述多个第一掺杂类型的多晶硅子层彼此以层间介质层隔开，所述浮栅层还包括在所述叠层区域两侧的第二掺杂类型的第一反型区域，所述第二掺杂类型和第一掺杂类型不同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||