一种低温二氧化硅的处理方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种低温二氧化硅的处理方法，通过采用臭氧气体对二氧化硅薄膜表面进行钝化处理，以消除低温二氧化硅薄膜性质在暴露在空气中时随时间变化而变化的特点，从而提高光刻工艺中图形的准确度，进而提高关键尺寸的均匀度。

主权项

一种低温二氧化硅的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在低于250℃的温度条件下，制备沉积于一晶圆上的二氧化硅薄膜；步骤S2：在温度为100‑250℃、压力为30‑100torr的条件下，采用10000‑20000sccm的臭氧，对所述二氧化硅薄膜进行2‑100s的钝化处理，以将所述二氧化硅薄膜内存在的Si‑H键重组为Si‑O键。