发明名称 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置
摘要 本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层,激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层;激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅材料表层同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10<sup>-6</sup>,硅相粒径小且彼此深度连接形成网状,提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性,使其能满足微电路组件外壳材料的要求。
申请公布号 CN103966542B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201410200713.2 申请日期 2014.05.13
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 白书欣;熊德赣;李顺;赵恂;张虹;万红
分类号 C23C4/123(2016.01)I;B32B15/01(2006.01)I;H01L23/08(2006.01)I 主分类号 C23C4/123(2016.01)I
代理机构 长沙智嵘专利代理事务所 43211 代理人 黄子平
主权项 一种铝硅/铝碳化硅复合材料,所述复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层,所述激光焊接层位于所述铝碳化硅层的上表层;其特征在于,所述激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料;所述激光焊接层硅相之间连通且含氧量≤1000×10<sup>‑6</sup>;所述激光焊接层硅相粒径≤100μm。
地址 410073 湖南省长沙市开福区砚正街47号