| 发明名称 | 碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件。所述制造碳化硅外延衬底的方法包括以下步骤：准备碳化硅衬底；和在碳化硅衬底上形成碳化硅层。在该制造方法中，在形成碳化硅层的步骤中，重复生长外延层的步骤和抛光外延层的表面的步骤两次或更多次。 | ||
| 申请公布号 | CN105448672A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510518439.8 | 申请日期 | 2015.08.21 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 日吉透 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅外延衬底的方法，包括以下步骤：准备碳化硅衬底；以及在所述碳化硅衬底上形成碳化硅层，在形成所述碳化硅层的所述步骤中，将生长外延层的步骤和抛光所述外延层的表面的步骤重复两次或更多次。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||