减少晶圆外延工艺缺陷的方法

摘要

本发明提供一种减少晶圆外延工艺缺陷的方法，包括步骤：使用氯化氢气体清理外延工艺的一反应腔室内残余的覆盖层；向反应腔室内通入氢气并对其作烘烤，去除氯化氢气体吸收的杂质气体；提供半导体晶圆，将晶圆装载进入反应腔室内；在晶圆的表面上生长外延层；待反应腔室和晶圆冷却，并将晶圆卸载退出反应腔室。本发明对于使用氯化氢气体作为反应腔室清洁剂的外延工艺，在清洁反应腔室和晶圆装载进入的步骤之间，在高温下通入大流量的氢气并且作烘烤。通过使用这种方法，利用氢气很强的还原性，释放并去除了氯化氢气体中固化的水汽和氧气等杂质气体，显著地改善了外延工艺产品的缺陷表现，并且提高了最终产品的良率。

主权项

一种减少晶圆外延工艺缺陷的方法，包括步骤：使用氯化氢气体清理所述外延工艺的一反应腔室内残余的覆盖层；向所述反应腔室内通入氢气并对其作烘烤，去除所述氯化氢气体吸收的杂质气体；提供半导体晶圆，将所述晶圆装载进入所述反应腔室内；在所述晶圆的表面上生长外延层；以及将所述反应腔室和所述晶圆冷却，并将所述晶圆卸载退出所述反应腔室。