| 发明名称 | 用于液晶面板中的阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种阵列基板，其包括：基板(101)；在基板(101)之上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层(110)；在平坦层(110)中的过孔(110a)，其中，过孔(110a)露出低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极(109b)；在平坦层(110)之上间隔排列的公共电极(111a)和接收电极(111b)，其中，公共电极(111a)在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的公共电极(111a)连接在一起；覆盖公共电极(111a)、接收电极(111b)和平坦层(110)的钝化层(112)；在钝化层(112)上的像素电极(113a)，其中，像素电通过过孔(110a)接触漏电极(109b)。本发明还提供了一种该阵列基板的制作方法。本发明节省了阵列基板制作过程中的一道制程，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105448933A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510827673.9 | 申请日期 | 2015.11.24 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 杨祖有 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰;武岑飞 |
| 主权项 | 一种用于液晶面板中的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板(101)；在所述基板(101)之上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层(110)；在所述平坦层(110)中的过孔(110a)，其中，所述过孔(110a)露出所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极(109b)；在所述平坦层(110)之上间隔排列的公共电极(111a)和接收电极(111b)，其中，所述公共电极(111a)在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的所述公共电极(111a)连接在一起；覆盖所述公共电极(111a)、所述接收电极(111b)和所述平坦层(110)的钝化层(112)；在所述钝化层(112)上的像素电极(113a)，其中，所述像素电通过所述过孔(110a)接触所述漏电极(109b)。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||