| 发明名称 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器，包括若干第一向导线、与所述若干第一向导线间隔且交叉设置的若干第二向导线，以及由所述若干第一向导线和所述若干第二向导线相互交叉所限定的若干交叉节点；每个所述交叉节点均设置有磁记忆单元，所述磁记忆单元分别与其所处交叉节点处的第一向导线和第二向导线电连接；所述磁记忆单元包括磁电阻元件、第一二极管和第二二极管，所述第一二极管与所述第二二极管并联或串联并与所述磁电阻元件电连接，并且所述第一二极管和所述第二二极管的极性连接方向相反；所述磁电阻元件可通过流经其中的电流来改变其电阻态。本发明还提供了上述磁性随机存储器的读写方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105449099A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510666498.X | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 发明人 | 肖荣福;郭一民;陈峻 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种磁性随机存储器，其特征在于，包括若干第一向导线、与所述若干第一向导线间隔且交叉设置的若干第二向导线，以及由所述若干第一向导线和所述若干第二向导线相互交叉所限定的若干交叉节点；每个所述交叉节点均设置有磁记忆单元，所述磁记忆单元分别与其所处交叉节点处的第一向导线和第二向导线电连接；所述磁记忆单元包括串联连接的磁电阻元件、第一二极管和第二二极管，并且所述第一二极管和所述第二二极管的极性连接方向相反；所述磁电阻元件可通过流经其中的电流来改变其电阻态。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 | ||