| 发明名称 | 分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105445836A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201610022368.7 | 申请日期 | 2016.01.13 |
| 申请人 | 南京大学;华为技术有限公司 | 发明人 | 肖如磊;陈向飞;张云山;施跃春;郑吉林;陆骏;谢荣华;陈权初 |
| 分类号 | G02B5/18(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人 | 黄熊 |
| 主权项 | 一种分布反馈半导体激光器中布拉格光栅的制备方法，其特征在于，该方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||