一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法，其步骤如下：（1）ITO表面TODS的自组装：将清洗好的ITO导电玻璃浸入新鲜的TODS-甲苯溶液中，密封静置4~12h后取出，放入甲苯中超声清洗5~10min，再用乙醇将ITO表面的甲苯洗净，最后用氮气吹干，密封保存待用；（2）图案化的ITO基底的制备：将含有图案化格子的铬膜板置于TODS自组装膜修饰的ITO玻璃上，经紫外灯照射17~25min；（3）将50~200μL磷脂泡囊溶液滴在图案化的ITO电极表面，在温度为20~60℃的条件下静置30~60min，ITO电极上图案化的磷脂膜即可形成。该方法制备的磷脂膜体系可以同时利用荧光显微镜和电化学方法表征，可用于研究膜中带电物种的二维膜电泳，实现磷脂膜中带电物种的富集和分离。

主权项

一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：（1）ITO表面TODS的自组装：将清洗好的ITO导电玻璃浸入新鲜的TODS‑甲苯溶液中，密封静置4~12h后取出，放入甲苯中超声清洗5~10min，除去自组装膜表面物理吸附的TODS单体，再用乙醇将ITO表面的甲苯洗净，最后用氮气吹干，密封保存待用；（2）图案化的ITO基底的制备：将含有图案化格子的铬膜板置于TODS自组装膜修饰的ITO玻璃上，经紫外灯照射17~25 min；（3）将50~200 μL磷脂泡囊溶液滴在图案化的ITO电极表面，在温度为20~60℃的条件下静置30~60 min，ITO电极上图案化的磷脂膜即可形成。