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发明名称 A METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 방법은 반도체 기판에 리세스를 형성하기 위해 반도체 기판을 에칭하는 단계, 및 반응층을 발생시키기 위해 반도체 기판의 표면층을 반응시키는 단계를 포함한다. 반도체 기판의 표면층은 리세스 내에 있다. 이어서, 반응층이 제거된다. 에피택시는 리세스에서 반도체 물질을 성장시키기 위해 수행된다.
申请公布号 KR101607371(B1) 申请公布日期 2016.03.29
申请号 KR20130131249 申请日期 2013.10.31
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 리우 에릭 지-팽;카오 쯔-웨이;첸 라이언 치아-젠;첸 차오-쳉
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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