Semiconductor and Method for Manufacturing the same

摘要

실시예에 따른 반도체소자는 기판에 소자분리막에 의해 정의된 활성영역; 상기 활성영역에 형성된 제2 도전형 웰; 상기 제2 도전형 웰의 일측에 형성된 확장된 드레인; 상기 제2 도전형 웰과 상기 확장된 드레인 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 양측에 형성된 소스와 드레인;을 포함하며, 상기 게이트 전극 하측의 상기 제2 도전형 웰의 모서리 부분이 확장된 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.