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Es wird eine Metallisierung eines Feldeffekt-Leistungstransistors (1) auf der Basis von lateralen Halbleiterschichten (3, 4) auf einem Isolatorsubstrat (5) oder einem eigenleitenden Halbleitersubstrat beschrieben. Die lateralen Halbleiterschichten (3, 4) weisen unterschiedliche Bandabstände derart auf, dass sich in ihrer Halbleitergrenzschicht (6) ein zweidimensionales Elektronengas ausbilden kann. Beim Anlegen einer Spannung zwischen Sourceelektrodenkontaktflächen (7) und Drainelektrodenkontaktflächen (8) bzw. Source (S) und Drain (D) kann durch die laterale Halbleitergrenzschicht (6) ein elektrischer Strom fließen. Die Stromstärke in einem Kanalbereich zwischen den Sourceelektrodenkontaktflächen (7) und den Drainelektrodenkontaktflächen (8) kann über Gateelektrodenkontaktflächen (9) mittels einer Gatespannung gesteuert werden. |
